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2004.03.23

■人工ダイヤ5倍早く成長!

 産業技術総合研究所ダイヤモンド研究センターの単結晶基板開発チームは23日、人工ダイヤモンドの単結晶を国内の従来の方法より5倍以上早く成長させる技術を開発したと、発表した。
 大型の人工ダイヤを作るには、メタンと水素をプラズマ状態にして反応させ、約1000度に熱した基板の上に結晶を作る「気相合成法」が向いている。研究チームはメタンと水素のほか、微量の窒素を加えてマイクロ波でプラズマ状態を作る工夫。縦横4ミリ、厚さ0.5ミリの種結晶を約1200度で成長させたところ、55時間で縦横7ミリ、厚さ2.8ミリの結晶になり、従来より5倍以上早い成長速度を達成した。半導体への応用が期待される。

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